TPH6R30ANL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller Teilenummer

TPH6R30ANL,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPH6R30ANL,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TPH6R30ANL,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPH6R30ANL,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 66A (Ta), 45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 500µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4300pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 54W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPH6R30ANL,L1Q

Datenblätter : TPH6R30ANL,L1Q.pdf

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