SSM3K318R,LF - MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SSM3K318R,LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SSM3K318R,LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Serie : U-MOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23F
Paket / fall : SOT-23-3 Flat Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SSM3K318R,LF

Datenblätter : SSM3K318R,LF.pdf

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