FGA30N120FTDTU - IGBT 1200V 60A 339W TO3P
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Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FGA30N120FTDTU
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FGA30N120FTDTU
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 90A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
Leistung max : 339W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 208nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : -
Testbedingung : -
Reverse Recovery Time (trr) : 730ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package : TO-3PN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für FGA30N120FTDTU
Datenblätter : FGA30N120FTDTU.pdf
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