IRF2907ZS-7PPBF - MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für IRF2907ZS-7PPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF2907ZS-7PPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7580pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK (7-Lead)
Paket / fall :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF2907ZS-7PPBF
Datenblätter :
IRF2907ZS-7PPBF.pdf
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