FCD600N60Z - MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

Hersteller Teilenummer

FCD600N60Z

Interne Teilenummer

AX-FCD600N60Z

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FCD600N60Z

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCD600N60Z

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

Serie : SuperFET® II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1120pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 89W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FCD600N60Z

Datenblätter : FCD600N60Z.pdf

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