FCD600N60Z - MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK

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MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
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Technische Daten für FCD600N60Z

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FCD600N60Z
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
Serie : SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1120pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 89W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D-Pak
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FCD600N60Z

Datenblätter : FCD600N60Z.pdf

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