JANTX1N3595US - DIODE GEN PURP 200MA B-MELF
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200MA B-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
32459 Pieces
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Technische Daten für JANTX1N3595US
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JANTX1N3595US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200MA B-MELF
Serie : Military, MIL-S-19500-241
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : -
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 3µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1nA @ 125V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JANTX1N3595US
Datenblätter : JANTX1N3595US.pdf
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