DTC115GUAT106 - TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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Kurze Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DTC115GUAT106
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DTC115GUAT106
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : -
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 82 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Supplier Device Package : UMT3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DTC115GUAT106
Datenblätter : DTC115GUAT106.pdf
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