IRFB4227PBF - MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

IRFB4227PBF

Interne Teilenummer

AX-IRFB4227PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

132840 Pieces

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Technische Daten für IRFB4227PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFB4227PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 65A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 46A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4600pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 330W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IRFB4227PBF.pdf

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