DMC3018LSD-13 - MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC

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MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
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Technische Daten für DMC3018LSD-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMC3018LSD-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.1A, 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 631pF @ 15V
Leistung max : 2.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : DMC3018LSD-13.pdf

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