IPD60R180P7ATMA1 - MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

Hersteller Teilenummer

IPD60R180P7ATMA1

Interne Teilenummer

AX-IPD60R180P7ATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

346015 Pieces

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Technische Daten für IPD60R180P7ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD60R180P7ATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3

Serie : CoolMOS™ P7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 280µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1081pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 72W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IPD60R180P7ATMA1.pdf

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