SI6562CDQ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
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Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI6562CDQ-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.7A, 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 10V
Leistung max :
1.6W, 1.7W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package :
8-TSSOP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI6562CDQ-T1-GE3
Datenblätter :
SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
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