RS1E200GNTB - MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RS1E200GNTB
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1724530 Pieces
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Technische Daten für RS1E200GNTB
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RS1E200GNTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 25.1W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSOP
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RS1E200GNTB
Datenblätter :
RS1E200GNTB.pdf
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