RD3S075CNTL1 - NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

Hersteller Teilenummer

RD3S075CNTL1

Interne Teilenummer

AX-RD3S075CNTL1

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für RD3S075CNTL1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RD3S075CNTL1

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : NCH 190V 7.5A POWER MOSFET

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 190V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 336 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RD3S075CNTL1

Datenblätter : RD3S075CNTL1.pdf

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