FDB0250N807L - MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

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MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
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Technische Daten für FDB0250N807L

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDB0250N807L
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 240A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 15400pF @ 40V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D²PAK (TO-263)
Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDB0250N807L

Datenblätter : FDB0250N807L.pdf

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