IXFX55N50F - MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 14.352
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Technische Daten für IXFX55N50F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXFX55N50F
Hersteller : IXYS-RF
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
Serie : HiPerRF™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 560W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS247™-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IXFX55N50F

Datenblätter : IXFX55N50F.pdf

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