FCD4N60TM - MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Hersteller Teilenummer

FCD4N60TM

Interne Teilenummer

AX-FCD4N60TM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

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Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FCD4N60TM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCD4N60TM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

Serie : SuperFET™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D-Pak

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FCD4N60TM.pdf

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