FQA13N80-F109 - MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für FQA13N80-F109
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FQA13N80-F109
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
750 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3PN
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FQA13N80-F109
Datenblätter :
FQA13N80-F109.pdf
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