2SK1829TE85LF - MOSFET N-CH 20V 0.05A USM

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Interne Teilenummer
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MOSFET N-CH 20V 0.05A USM
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Technische Daten für 2SK1829TE85LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2SK1829TE85LF
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 0.05A USM
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5.5pF @ 3V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-70
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 2SK1 , 2SK182

Dokumente für 2SK1829TE85LF

Datenblätter : 2SK1829TE85LF.pdf

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