SSM6J212FE,LF - MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Hersteller Teilenummer

SSM6J212FE,LF

Interne Teilenummer

AX-SSM6J212FE,LF

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

3016815 Pieces

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Technische Daten für SSM6J212FE,LF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SSM6J212FE,LF

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 4A ES6

Serie : U-MOSVI

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40.7 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.1nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : ES6

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SSM6J212FE,LF

Datenblätter : SSM6J212FE,LF.pdf

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