PMDPB58UPE,115 - MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für PMDPB58UPE,115
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PMDPB58UPE,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
67 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
804pF @ 10V
Leistung max :
515mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
6-HUSON-EP (2x2)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PMDPB58UPE,115
Datenblätter :
PMDPB58UPE,115.pdf
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