TPC8212-H(TE12LQ,M - MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Hersteller Teilenummer

TPC8212-H(TE12LQ,M

Interne Teilenummer

AX-TPC8212-H(TE12LQ,M

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

27342 Pieces

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Technische Daten für TPC8212-H(TE12LQ,M

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPC8212-H(TE12LQ,M

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 10V

Leistung max : 450mW

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Supplier Device Package : 8-SOP (5.5x6.0)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPC8212-H(TE12LQ,M

Datenblätter : TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf

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