CMZ18(TE12L,Q,M) - X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V

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Kurze Beschreibung
X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CMZ18(TE12L,Q,M)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CMZ18(TE12L,Q,M)
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ3000 V
Serie : -
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 18V
Toleranz : ±10%
Leistung max : 2W
Impedanz (max.) (Zzt) : 30 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 13V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 200mA
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOD-128
Supplier Device Package : M-FLAT (2.4x3.8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : CMZ18 , CMZ18(TE

Dokumente für CMZ18(TE12L,Q,M)

Datenblätter : CMZ18(TE12L,Q,M).pdf

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