IXTM11N80 - POWER MOSFET TO-3
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTM11N80
Hersteller
Kurze Beschreibung
POWER MOSFET TO-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
22659 Pieces
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Technische Daten für IXTM11N80
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXTM11N80
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
POWER MOSFET TO-3
Serie :
GigaMOS™
Teilestatus :
Last Time Buy
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-204AA
Paket / fall :
TO-204AA, TO-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXTM11N80
Datenblätter :
IXTM11N80.pdf
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