SI7956DP-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Hersteller Teilenummer

SI7956DP-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SI7956DP-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI7956DP-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI7956DP-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 1.4W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SI7956DP-T1-GE3

Datenblätter : SI7956DP-T1-GE3.pdf

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