IRL6372PBF - MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRL6372PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
29141 Pieces
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Technische Daten für IRL6372PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRL6372PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1020pF @ 25V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRL6372PBF
Datenblätter : IRL6372PBF.pdf
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