R6002END3TL1 - NCH 600V 2A POWER MOSFET

Hersteller Teilenummer

R6002END3TL1

Interne Teilenummer

AX-R6002END3TL1

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

NCH 600V 2A POWER MOSFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1210155 Pieces

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Technische Daten für R6002END3TL1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : R6002END3TL1

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : NCH 600V 2A POWER MOSFET

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 65pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 26W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : R600 , R6002E

Dokumente für R6002END3TL1

Datenblätter : R6002END3TL1.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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