IRF3709STRLPBF - MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
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Technische Daten für IRF3709STRLPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF3709STRLPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2672pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF3 , IRF3709

Dokumente für IRF3709STRLPBF

Datenblätter : IRF3709STRLPBF.pdf

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