HGTP10N120BN - IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

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IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
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Technische Daten für HGTP10N120BN

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HGTP10N120BN
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : NPT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 10A
Leistung max : 298W
Energie wechseln : 320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 23ns/165ns
Testbedingung : 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-3
Supplier Device Package : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : HGTP , HGTP10

Dokumente für HGTP10N120BN

Datenblätter : HGTP10N120BN.pdf

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