IPA180N10N3GXKSA1 - MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP

Hersteller Teilenummer

IPA180N10N3GXKSA1

Interne Teilenummer

AX-IPA180N10N3GXKSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

466240 Pieces

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Technische Daten für IPA180N10N3GXKSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPA180N10N3GXKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 28A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 35µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO220-FP

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPA18 , IPA180N1

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Datenblätter : IPA180N10N3GXKSA1.pdf

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