SBAS16LT1G - DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

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DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SBAS16LT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SBAS16LT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 200mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 6ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SBAS16LT1G

Datenblätter : SBAS16LT1G.pdf

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