STD2HNK60Z - MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-STD2HNK60Z
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
907015 Pieces
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Technische Daten für STD2HNK60Z
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STD2HNK60Z
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Serie : SuperMESH™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STD2HNK60Z
Datenblätter : STD2HNK60Z.pdf
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