NVATS5A113PLZT4G - MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK

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MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
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Technische Daten für NVATS5A113PLZT4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVATS5A113PLZT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : ATPAK
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NVATS5A113PLZT4G

Datenblätter : NVATS5A113PLZT4G.pdf

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