TSM60N600CH C5G - MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für TSM60N600CH C5G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TSM60N600CH C5G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A TO251
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
743pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-251 (IPAK)
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TSM60N600CH C5G
Datenblätter :
TSM60N600CH C5G.pdf
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