SQJQ906E-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SQJQ906E-T1_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQJQ906E-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 20V
Leistung max : 50W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQJQ906E-T1_GE3
Datenblätter : SQJQ906E-T1_GE3.pdf
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