DMN3032LFDBQ-7 - MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
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MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
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Technische Daten für DMN3032LFDBQ-7
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN3032LFDBQ-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 15V
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : U-DFN2020-6 (Type B)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN3032LFDBQ-7
Datenblätter : DMN3032LFDBQ-7.pdf
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