JANTXV2N6770T1 - MOSFET N-CH
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für JANTXV2N6770T1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
JANTXV2N6770T1
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/543
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
4W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-254AA
Paket / fall :
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für JANTXV2N6770T1
Datenblätter :
JANTXV2N6770T1.pdf
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