K4B1G1646I-BYMA - 1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
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Interne Teilenummer
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Kurze Beschreibung
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für K4B1G1646I-BYMA
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
K4B1G1646I-BYMA
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Dichte :
1 Gb
Org. :
64M x 16
Geschwindigkeit :
1866 Mbps
Stromspannung :
1.35 V
Temp. :
0 ~ 85 °C
Paket :
96FBGA
Produckstatus :
Mass Production
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für K4B1G1646I-BYMA
Datenblätter :
K4B1G1646I-BYMA.pdf
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