ES1BLHR3G - DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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USD 0.05628
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Technische Daten für ES1BLHR3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ES1BLHR3G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für ES1BLHR3G

Datenblätter : ES1BLHR3G.pdf

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