FDFME2P823ZT - MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Hersteller Teilenummer

FDFME2P823ZT

Interne Teilenummer

AX-FDFME2P823ZT

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDFME2P823ZT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDFME2P823ZT

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 142 mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 405pF @ 10V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 1.4W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-MicroFET (1.6x1.6)

Paket / fall : 6-UFDFN Exposed Pad

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDFM , FDFME2

Dokumente für FDFME2P823ZT

Datenblätter : FDFME2P823ZT.pdf

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