1N5807US - DIODE GEN PURP 50V 6A

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 50V 6A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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USD 8.7
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Technische Daten für 1N5807US

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 1N5807US
Hersteller : Semtech Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 6A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : 60pF @ 5V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : 1N5807US.pdf

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