STE60N105DK5 - ISOTOP PARALL.

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ISOTOP PARALL.
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Technische Daten für STE60N105DK5

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STE60N105DK5
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : ISOTOP PARALL.
Serie : MDmesh™ DK5
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1050V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 46A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 204nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6675pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 680W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : ISOTOP
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STE60N105DK5

Datenblätter : STE60N105DK5.pdf

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