SI1404BDH-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI1404BDH-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI1404BDH-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
100pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SC-70-6 (SOT-363)
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI1404BDH-T1-GE3
Datenblätter :
SI1404BDH-T1-GE3.pdf
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