DMN2450UFB4-7R - MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-

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MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
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Technische Daten für DMN2450UFB4-7R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2450UFB4-7R
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 8V-24V X2-DFN1006-
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 56pF @ 16V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : X2-DFN1006-3
Paket / fall : 3-XFDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMN2 , DMN2450

Dokumente für DMN2450UFB4-7R

Datenblätter : DMN2450UFB4-7R.pdf

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