FCP190N65F - MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Hersteller Teilenummer

FCP190N65F

Interne Teilenummer

AX-FCP190N65F

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FCP190N65F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCP190N65F

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Serie : FRFET®, SuperFET® II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3225pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 208W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FCP190N65F

Datenblätter : FCP190N65F.pdf

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