STGW80H65DFB-4 - IGBT BIPO 650V 80A TO247
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Kurze Beschreibung
IGBT BIPO 650V 80A TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für STGW80H65DFB-4
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STGW80H65DFB-4
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : IGBT BIPO 650V 80A TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 240A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 80A
Leistung max : 469W
Energie wechseln : 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 84ns/280ns
Testbedingung : 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 85ns
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-4
Supplier Device Package : TO-247-4L
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für STGW80H65DFB-4
Datenblätter : STGW80H65DFB-4.pdf
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