TPW1R306PL,L1Q - X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller Teilenummer

TPW1R306PL,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPW1R306PL,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TPW1R306PL,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPW1R306PL,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Serie : U-MOSIX-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 260A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.29 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 91nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 8100pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 960mW (Ta), 170W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-DSOP Advance

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPW1R306PL,L1Q

Datenblätter : TPW1R306PL,L1Q.pdf

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