FQAF16N50 - MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF

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MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
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Technische Daten für FQAF16N50

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FQAF16N50
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 11.3A TO-3PF
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 5.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-3PF
Paket / fall : TO-3P-3 Full Pack
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FQAF16N50.pdf

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