DMTH10H010SPSQ-13 - MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

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MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50
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Technische Daten für DMTH10H010SPSQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMTH10H010SPSQ-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11.8A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4468pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI5060-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMTH1 , DMTH10H0

Dokumente für DMTH10H010SPSQ-13

Datenblätter : DMTH10H010SPSQ-13.pdf

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