KHA883901B-MC12 - 8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production

Hersteller Teilenummer

KHA883901B-MC12

Interne Teilenummer

AX-KHA883901B-MC12

Hersteller

Samsung Semiconductor

Kurze Beschreibung

8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für KHA883901B-MC12

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : KHA883901B-MC12

Hersteller : Samsung Semiconductor

Beschreibung : 8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production

Serie : DDR3

Dichte : 8 Gb

Org. : 1024

Geschwindigkeit : 2.0 Gbps

Aktualisierung : 32 ms

Paket : MPGA

Produckstatus : Mass Production

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : KHA88 , KHA8839

Dokumente für KHA883901B-MC12

Datenblätter : KHA883901B-MC12.pdf

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BZ118078WV75036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 75PF 30KV AXIAL.
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WF135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
FPE210WV15236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1500PF 30KV R85 AXIAL.
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CDR02BP221BKMSAB	Vishay Vitramon	CAP CER 220PF 100V BP 1805.
BZ118078WV50036CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 50PF 30KV AXIAL.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.