AS4C16M16D2-25BIN - IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C16M16D2-25BIN
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C16M16D2-25BIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 256M PARALLEL 84TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR2
Speichergröße : 256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz : 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 400ps
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 84-TFBGA
Supplier Device Package : 84-TFBGA (8x12.5)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C16M16D2-25BIN
Datenblätter : AS4C16M16D2-25BIN.pdf
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